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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IPW65R280E6 

产品描述

MOSFET 650V CoolMOS E6 Power Transistor

内部编号

173-IPW65R280E6

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:480
1+¥15.1788
25+¥14.1001
100+¥13.5608
500+¥13.0214
1000+¥12.328
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:374
1+¥19.761
10+¥16.8207
100+¥14.5643
250+¥13.8122
500+¥12.3762
1000+¥10.3933
2500+¥9.9147
5000+¥9.0941
最小起订量:1
美国加州
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立即询价

#3

数量:234
3+¥19.817
6+¥18.829
30+¥18.297
60+¥17.765
150+¥17.2045
最小起订量:3
英国伦敦
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

IPW65R280E6产品详细规格

规格书 IPW65R280E6 datasheet 规格书
IPx65R280E6
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品培训模块
标准包装 240
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 650V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 13.8A
Rds(最大)@ ID,VGS 280 mOhm @ 4.4A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3.5V @ 440µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 45nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 950pF @ 100V
功率 - 最大 104W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-247-3
供应商器件封装 PG-TO247-3
包装材料 Tube

IPW65R280E6系列产品

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